1章　半導体集積回路の発展とリソグラフィ技術

• 1.1 はじめに
• 1.2 リソグラフィ技術とは
• 1.3 リソグラフィシステムの発展
• 1.4 まとめ

2章　光リソグラフィ技術

• 2.1 はじめに
• 2.2 光露光装置の歴史
  • 1　コンタクト・プロキシミティ露光
  • 2　ミラープロジェクション露光
  • 3　ステッパからスキャナへ
• 2.3　縮小投影露光装置の実際
  • 1　縮小投影露光装置の構成
  • 2　Rayleighの式
  • 3　結像の基本
  • 4　投影光学系
  • 5　収差
  • 6　照明系
  • 7　解像力向上技術（RET）
  • 8 オーバーレイ精度
  • 9　ステージ
  • 10　フォーカス・レベリング検出
  • 11　液浸
• 2.4　光リソグラフィの今後

3章　電子線リソグラフィ技術

• 3.1 はじめに
• 3.2 レジスト中での電子の散乱
  • 1 電子線の散乱過程の解析
  • 2 電子の物質中での軌跡
• 3.3 近接効果とその補正技術
  • 1 電子線の堆積エネルギーの近似式と相反定理
  • 2 パターン内近接効果とパターン間近接効果
  • 3 近接効果補正
• 3.4 電子線描画方式
  • 1 集束電子ビーム露光技術
  • 2 マルチビーム型電子線露光技術
  • 3 その他の方式

4章　X線・EUVリソグラフィ技術

• 4.1 はじめに
• 4.2 X線等倍近接転写技術
  • 1 露光システム（光源と露光装置）
  • 2 X線マスクとレジスト材料
  • 3 短波長化への取り組み
  • 4 その他の応用
• 4.3 EUV露光技術（X線縮小投影露光技術）
  • 1 EUV露光装置の開発と経緯
  • 2 EUV光源
  • 3 非球面多層膜反射光学系
  • 4 多層膜反射マスク
  • 5 EUV露光装置
  • 6 EUVレジストプロセス
  • 7 今後の展開

5章　その他のリソグラフィ技術

• 5.1 はじめに
• 5.2 イオンビーム露光技術
• 5.3 ナノインプリント技術
• 5.4 自己整合型パターン形成技術
• 5.5 その他のリソグラフィ技術

6章　マスク技術

• 6.1 はじめに
• 6.2 マスクパターンの作成
• 6.3 光リソグラフィ用マスク
  • 1 基本構造
  • 2 位相シフトマスク
  • 3 ハーフトーン型位相シフトマスク
  • 4 計算機リソグラフィ技術とマスク技術
  • 5 欠陥検査･修正技術
• 6.4 X線等倍近接転写露光用マスク
• 6.5 EUV露光用マスク
• 6.6 ナノインプリント用モールド（マスク）

7章　レジスト技術

• 7.1 はじめに
• 7.2 レジストの基礎
  • 1 レジストとは
  • 2 レジストに要求される性質
  • 3 光化学
  • 4 リソグラフィ技術で用いる露光波長と光化学
  • 5 X線(EUV)と分子との相互作用
  • 6 電子線と分子との相互作用
  • 7 現像
• 7.3 レジスト材料開発の動向
  • 1 リソグラフィ動向とレジスト材料
  • 2 ポリケイ皮酸ビニル
  • 3 環化ゴム－ビスアジド系レジスト
  • 4 ジアゾナフトキノン（DNQ）－ノボラック樹脂系ポジ型フォトレジスト
  • 5 Dillの解析
  • 6 アジド化合物系フォトレジスト
  • 7 KrFエキシマレーザ(248nm)用化学増幅系レジスト
  • 8 ArFエキシマレーザ(193nm)用化学増幅系レジスト
  • 9 液浸用レジスト
  • 10 ダブルパターニング用レジスト
  • 11 EUV(Extreme UV: 13nm)用レジスト
  • 12 微細加工用レジストの課題
  • 13 電子線レジスト
• 7.4 レジスト膜の多層化
  • 1 反射防止膜
  • 2 多層レジストプロセス
  • 3 コントラストエンハンスメントリソグラフィ

8章　計測評価技術

• 8.1 はじめに
• 8.2 SEMを用いた計測評価
  • 1 FE-SEMによるレジスト寸法の評価
  • 2 パターン形状評価と欠陥検査
• 8.3 スキャトロメトリー（光散乱計測）
• 8.4 パターン位置の計測評価
• 8.5 パターンや表面の形状および寸法評価

9章　リソグラフィ技術の課題と今後の展望

• 9.1 はじめに
• 9.2 技術的な課題と今後の展望
• 9.3 経済的課題と今後の展望
• 9.4 まとめ