お詫びと訂正（正誤表）
本書の以下の部分に誤りがありました。ここに訂正するとともに、ご迷惑をおかけしたことを深くお詫び申し上げます。
（2025年9月3日最終更新）
P.34 下から5行目
| 誤 |
領域をウェルといい、pウェルはnMOS領域にp型 |
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| 正 |
領域をウェルといい、pウェルの形成ではnMOS領域にp型 |
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P.37の図④ソース・ドレイン形成（左側）
P.37の図④ソース・ドレイン形成（左側）
| 誤 |
nMOSの領域の上にレジストパターンを作り、pMOSの領域にn型不純物イオン（ヒ素：Asなど）を打ち込んで～ |
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| 正 |
pMOSの領域の上にレジストパターンを作り、nMOSの領域にn型不純物イオン（ヒ素：Asなど）を打ち込んで～ |
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P.37
図④ |
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P.123の表
| 誤 |
超高真空の環境下で材料を加熱蒸発させ、槓子された基板結晶上に |
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| 正 |
超高真空の環境下で材料を加熱蒸発させ、加熱された基板結晶上に |
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P.123の図
高周波電源は、カソード側のシャワーヘッドのあたりに接続される（赤い囲みの部分）。
| 正 |
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P.127の図
「電解めっきの原理」の図の電源記号の向きが逆になってしまっている。
| 正 |
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P.75の図
①露光の「フォトマスク」の部分が誤り。
| 正 |
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P.63の「ダブルパターニング（SADP）」の図の⑤と⑥（2箇所）
P.109の「枚葉式」の図
P.109の「枚葉式」の図
P.135の「枚葉式クラスタシステムの例」の図
P.173の「電解めっき法のよるバンプ形成」の図
P.110の下から8行目
