概要

「はじめての半導体ドライエッチング技術」 が出版 されてから 8年以上経過しましたが，半導体 の微細化・高集積化の進展は留まるところを知らず，次々新しい技術が出現しています。本書は，アトミックレイヤーエッチング（ALE）など新しい技術の解説や，ドライエッチング技術の今後の課題・展望についてなど，旧版に大幅に加筆訂正を行いました。

こんな方におすすめ

• 電子電気系のエンジニア全般，半導体関連の技術者，半導体関連の業界を目指す学生

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目次

1 章　半導体集積回路の発展とドライエッチング技術

• 1.1　ドライエッチングの概要
• 1.2　ドライエッチングにおける評価パラメータ
• 1.3　LSI の高集積化にドライエッチング技術が果たす役割

2 章　ドライエッチングのメカニズム

• 2.1　プラズマの基礎
• 2.2　イオンシースおよびイオンシース内でのイオンの挙動
• 2.3　エッチングプロセスの組み立て方

3 章　各種材料のエッチング

• 3.1　ゲートエッチング
• 3.2　SiO2 エッチング
• 3.3　配線エッチング
• 3.4　まとめ

4 章　ドライエッチング装置

• 4.1　ドライエッチング装置の歴史
• 4.2　バレル型プラズマエッチャー
• 4.3　CCP プラズマエッチャー
• 4.4　マグネトロンRIE
• 4.5　ECR プラズマエッチャー
• 4.6　ICP プラズマエッチャー
• 4.7　ドライエッチング装置の実例
• 4.8　静電チャック

5 章　ドライエッチングダメージ

• 5.1　Si 表層部に導入されるダメージ
• 5.2　チャージアップダメージ

6 章　新しいエッチング技術

• 6.1　Cu ダマシンエッチング
• 6.2　Low-k エッチング
• 6.3　ポーラスLow-k を用いたダマシン配線
• 6.4　メタルゲート/High-k エッチング
• 6.5　FinFET エッチング
• 6.6　マルチパターニング
• 6.7　3D NAND/DRAM 用高アスペクト比ホールエッチング
• 6.8　3D IC 用エッチング技術

7 章　アトミックレイヤーエッチング（ALE）

• 7.1　ALE の原理
• 7.2　ALE の特性
• 7.3　ALE シナジー
• 7.4　EPC およびスパッタ閾値を支配するパラメータ
• 7.5　SiO₂ ALE
• 7.6　まとめ

8 章　ドライエッチング技術の今後の課題と展望

• 8.1　ドライエッチングにおける技術革新
• 8.2　今後の課題と展望
• 8.3　エンジニアとしての心構え

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