現場の即戦力 改訂版 はじめての半導体ドライエッチング技術
- 野尻一男 著
- 定価
- 2,728円（本体2,480円＋税10%）
- 発売日
- 2020.10.24
- 判型
- A5
- 頁数
- 200ページ
- ISBN
- 978-4-297-11599-9 978-4-297-11600-2
サポート情報
概要
「はじめての半導体ドライエッチング技術」 が出版 されてから 8年以上経過しましたが、半導体 の微細化・高集積化の進展は留まるところを知らず、次々新しい技術が出現しています。本書は、アトミックレイヤーエッチング（ALE）など新しい技術の解説や、ドライエッチング技術の今後の課題・展望についてなど、旧版に大幅に加筆訂正を行いました。
こんな方にオススメ
- 電子電気系のエンジニア全般、半導体関連の技術者、半導体関連の業界を目指す学生
目次
1 章 半導体集積回路の発展とドライエッチング技術
- 1.1 ドライエッチングの概要
- 1.2 ドライエッチングにおける評価パラメータ
- 1.3 LSI の高集積化にドライエッチング技術が果たす役割
2 章 ドライエッチングのメカニズム
- 2.1 プラズマの基礎
- 2.2 イオンシースおよびイオンシース内でのイオンの挙動
- 2.3 エッチングプロセスの組み立て方
3 章 各種材料のエッチング
- 3.1 ゲートエッチング
- 3.2 SiO2 エッチング
- 3.3 配線エッチング
- 3.4 まとめ
4 章 ドライエッチング装置
- 4.1 ドライエッチング装置の歴史
- 4.2 バレル型プラズマエッチャー
- 4.3 CCP プラズマエッチャー
- 4.4 マグネトロンRIE
- 4.5 ECR プラズマエッチャー
- 4.6 ICP プラズマエッチャー
- 4.7 ドライエッチング装置の実例
- 4.8 静電チャック
5 章 ドライエッチングダメージ
- 5.1 Si 表層部に導入されるダメージ
- 5.2 チャージアップダメージ
6 章 新しいエッチング技術
- 6.1 Cu ダマシンエッチング
- 6.2 Low-k エッチング
- 6.3 ポーラスLow-k を用いたダマシン配線
- 6.4 メタルゲート/High-k エッチング
- 6.5 FinFET エッチング
- 6.6 マルチパターニング
- 6.7 3D NAND/DRAM 用高アスペクト比ホールエッチング
- 6.8 3D IC 用エッチング技術
7 章 アトミックレイヤーエッチング（ALE）
- 7.1 ALE の原理
- 7.2 ALE の特性
- 7.3 ALE シナジー
- 7.4 EPC およびスパッタ閾値を支配するパラメータ
- 7.5 SiO2 ALE
- 7.6 まとめ
8 章 ドライエッチング技術の今後の課題と展望
- 8.1 ドライエッチングにおける技術革新
- 8.2 今後の課題と展望
- 8.3 エンジニアとしての心構え
プロフィール
野尻一男
1973年 群馬大学工学部電子工学科 卒業
1975年 群馬大学大学院工学研究科修士課程 修了
1975年 (株)日立製作所入社。半導体事業部にてCVD、デバイスインテグレーション、ドライエッチングの研究開発に従事。特にECRプラズマエッチング、チャージアップダメージに関して先駆的な研究を行った。また技術開発のリーダーとして数々のマネージメントを歴任。
2000年 ラムリサーチ(株)入社、取締役・CTOに就任。
2019年 独立し、ナノテクリサーチ代表として技術および経営のコンサルティングを行っている。
主な受賞
1989年 ｢有磁場マイクロ波プラズマエッチング技術の開発と実用化｣で大河内記念賞を受賞
1994年 ｢低温ドライエッチング装置の開発｣で機械振興協会賞通産大臣賞を受賞
2019年 DPS Nishizawa Awardを受賞
主な著書
｢先端電気化学｣（丸善）共著