現場の即戦力シリーズ改訂版 はじめての半導体ドライエッチング技術

[表紙]改訂版 はじめての半導体ドライエッチング技術

A5判/200ページ

定価(本体2,480円+税)

ISBN 978-4-297-11599-9

電子版

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書籍の概要

この本の概要

「はじめての半導体ドライエッチング技術」 が出版 されてから 8年以上経過しましたが,半導体 の微細化・高集積化の進展は留まるところを知らず,次々新しい技術が出現しています。本書は,アトミックレイヤーエッチング(ALE)など新しい技術の解説や,ドライエッチング技術の今後の課題・展望についてなど,旧版に大幅に加筆訂正を行いました。

こんな方におすすめ

  • 電子電気系のエンジニア全般,半導体関連の技術者,半導体関連の業界を目指す学生

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目次

1 章 半導体集積回路の発展とドライエッチング技術

  • 1.1 ドライエッチングの概要
  • 1.2 ドライエッチングにおける評価パラメータ
  • 1.3 LSI の高集積化にドライエッチング技術が果たす役割

2 章 ドライエッチングのメカニズム

  • 2.1 プラズマの基礎
  • 2.2 イオンシースおよびイオンシース内でのイオンの挙動
  • 2.3 エッチングプロセスの組み立て方

3 章 各種材料のエッチング

  • 3.1 ゲートエッチング
  • 3.2 SiO2 エッチング
  • 3.3 配線エッチング
  • 3.4 まとめ

4 章 ドライエッチング装置

  • 4.1 ドライエッチング装置の歴史
  • 4.2 バレル型プラズマエッチャー
  • 4.3 CCP プラズマエッチャー
  • 4.4 マグネトロンRIE
  • 4.5 ECR プラズマエッチャー
  • 4.6 ICP プラズマエッチャー
  • 4.7 ドライエッチング装置の実例
  • 4.8 静電チャック

5 章 ドライエッチングダメージ

  • 5.1 Si 表層部に導入されるダメージ
  • 5.2 チャージアップダメージ

6 章 新しいエッチング技術

  • 6.1 Cu ダマシンエッチング
  • 6.2 Low-k エッチング
  • 6.3 ポーラスLow-k を用いたダマシン配線
  • 6.4 メタルゲート/High-k エッチング
  • 6.5 FinFET エッチング
  • 6.6 マルチパターニング
  • 6.7 3D NAND/DRAM 用高アスペクト比ホールエッチング
  • 6.8 3D IC 用エッチング技術

7 章 アトミックレイヤーエッチング(ALE)

  • 7.1 ALE の原理
  • 7.2 ALE の特性
  • 7.3 ALE シナジー
  • 7.4 EPC およびスパッタ閾値を支配するパラメータ
  • 7.5 SiO2 ALE
  • 7.6 まとめ

8 章 ドライエッチング技術の今後の課題と展望

  • 8.1 ドライエッチングにおける技術革新
  • 8.2 今後の課題と展望
  • 8.3 エンジニアとしての心構え

著者プロフィール

野尻一男(のじりかずお)

1973年 群馬大学工学部電子工学科 卒業
1975年 群馬大学大学院工学研究科修士課程 修了
1975年 (株)日立製作所入社。半導体事業部にてCVD,デバイスインテグレーション,ドライエッチングの研究開発に従事。特にECRプラズマエッチング,チャージアップダメージに関して先駆的な研究を行った。また技術開発のリーダーとして数々のマネージメントを歴任。
2000年 ラムリサーチ(株)入社,取締役・CTOに就任。
2019年 独立し,ナノテクリサーチ代表として技術および経営のコンサルティングを行っている。

主な受賞

1989年 「有磁場マイクロ波プラズマエッチング技術の開発と実用化」で大河内記念賞を受賞
1994年 「低温ドライエッチング装置の開発」で機械振興協会賞通産大臣賞を受賞
2019年 DPS Nishizawa Awardを受賞

主な著書

「先端電気化学」(丸善)共著