第１章　半導体とは何か

• 1　半導体の生い立ちは「半端な導体」だった
• 2　意外? 「炭」も半導体という事実
• 3　電気抵抗率のレンジの広さこそが半導体の最大の特徴
• 4　温度上昇で抵抗率が急激に低下する特異性
• 5　不純物に敏感に反応するのも典型的な半導体特性
• 6　量子論が解き明かした半導体の電気的ふるまい
• 7　バンド理論でわかった半導体の熱特性の正体
• 8　真性半導体と不純物半導体
• 9　電気を運ぶキャリア（「電子」と「正孔」）
• 10　不純物半導体と価電子制御
• 11　ｎ形半導体とｐ形半導体
• 12　ｎ形半導体と電荷伝導のしくみ
• 13　ｐ形半導体と電荷伝導のしくみ
• 14　ｎ形，ｐ形の名付け親はベル電話研究所
• 15　どうしてシリコンが半導体材料に選ばれたのか
• 16　ｐｎ接合におけるキャリアの動き
• 17　ｐｎ接合の平衡状態をエネルギーバンド図で見ると
• 18　ｐｎ接合に電圧（バイアス）をかけると
• 19　逆方向バイアスと降伏現象
• 20　光る半導体と光らない半導体の違い
• 21　半導体の発光波長はどのように決まるのか
• 22　半導体の面白さは混晶にある
• 23　ヘテロ接合構造と二次元電子ガス
• 24　電子を閉じこめる量子井戸

第２章　半導体デバイスの誕生

• 1　半導体デバイスとは何か
• 2　エレクトロニクスの始まりと電子デバイスの創造
• 3　真空管から半導体の時代へ
• 4　トランジスターの発明
• 5　接合型トランジスターの動作原理
• 6　トランジスターの増幅作用
• 7　電界効果トランジスター（FET）
• 8　MOSトランジスター（MOSFET）
• 9　MOSトランジスターの動作特性
• 10　化合物半導体トランジスター（MESFET）の活躍
• 11　高電子移動度トランジスター（HEMT）
• 12　ヘテロ接合バイポーラトランジスター（HBT）
• 13　需要急伸中！ パワー半導体
• 14　パワー半導体の重要特性「耐圧」と「オン抵抗」
• 15　大電流を整流・制御するサイリスタ
• 16　交流電力が制御できるトライアック（TRIAC）
• 17　大電力トランジスター パワーMOSFET
• 18　高耐圧用パワー半導体IGBT
• 19　IT時代を支える半導体集積回路
• 20　デジタルICの基本はCMOSインバータ
• 21　大規模集積回路（LSI）の種類
• 22　ユーザープログラマブルIC
• 23　半導体メモリーの種類
• 24　半導体メモリーの代表格ダイナミックRAM
• 25　記憶が消えないフラッシュメモリー
• 26　イメージセンサーは電子の目
• 27　携帯時代のモノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）

第３章　半導体集積回路の製造技術

• 1　半導体集積回路ができるまで
• 2　高純度なシリコン単結晶の作り方
• 3　化合物半導体インゴットの作り方
• 4　ウエハーの切り出しと加工
• 5 ウエハーの表面を覆う半導体薄膜エピタキシー技術
• 6【前工程】集積回路の進化はリソグラフィが決め手
• 7　金属電極の作り方 スパッタリング法
• 8　MOSトランジスターの製造工程
• 9　【後工程】ダイシングから半導体チップまで

第４章　オプトエレクトロニクス

• 1　脚光を浴びるオプトエレクトロニクス
• 2　半導体が光る3つのメカニズム
• 3　pn接合で光る発光ダイオード
• 4　ダブルへテロ構造が発光ダイオードを明るくする
• 5　青色発光ダイオードの実現
• 6　時代は白色発光ダイオード
• 7　光を検出するフォトダイオード
• 8　光導電効果で光を検知するフォトセル
• 9　レーザーとはどんなものなのか
• 10　レーザー発振はどのようにして起こるのか
• 11　半導体レーザーの基本構造

第５章　半導体発電素子

• 1　太陽光を電気に変える太陽電池
• 2　太陽電池の種類と変換効率
• 3　普及が進むシリコン系太陽電池
• 4　化合物系太陽電池CISとCIGS
• 5　重箱状に重ねて高効率化するタンデム型太陽電池
• 6　透明な半導体薄膜
• 7　熱を直接電気エネルギーに変換する熱電変換素子

第６章　半導体の最新動向

• 1　電子だけでも光る量子カスケードレーザー
• 2　粉から半導体に変身する亜鉛華ZnO
• 3　半導体と磁性体を融合するスピントロニクス
• 4　炭化シリコンSiCが鍵を握るパワーエレクトロニクス